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11-15 

晶圓切割的方法與作用介紹

隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，對半導體器件的要求也越來越高，不僅體積縮小，準確度也要不斷提高?！∧康氖翘峁┮环N優(yōu)化的晶圓切割方法，以減少切割時晶片的變形，提高半導體收率，提高切割葉片的壽命

10-29 

晶圓切割液是什么晶圓切割液是這么制作的

晶圓是生產(chǎn)IC的基本原料。晶圓切割的生產(chǎn)過程一般基于純光伏材料，這種純硅用硅膠棒制成，經(jīng)過照相板、拋光、切片等程序過程，將多晶硅從單晶的硅膠棒上熔化，切成一片。

10-12 

QFN器件切割為什么會受歡迎？

QFN器件切割是近年來發(fā)展起來的一種切割技術(shù)。采用高壓水柱切割鋼板。技術(shù)先進，切割精度高。適用于中、高精度鋼板的切割，一般的工業(yè)切割對切割精度要求不高，不適合普通工業(yè)切割。等離子弧切割：利用高溫等離子弧的熱量，在工件切口處熔化（產(chǎn)生）金屬零件，利用高速等離子體的動量消除熔融金屬，形成一種切割方法。

09-28 

硅片切割技術(shù)是太陽能電池制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)

硅片的刃口材料是指切割機的刃口材料是硅片，主要用于切割太陽能硅片和半導體晶片，是目前硅片線切割的三大耗材之一。在線切割過程中，將混有切削液(通常為聚乙二醇)和刃口材料的砂子噴在由細鋼絲組成的鋼絲網(wǎng)上，通過細鋼絲的高速運動，將砂漿中的刃口材料與緊緊壓在鋼絲網(wǎng)上的硅棒或硅錠表面高速研磨。由于刃口材料顆粒具有非常尖銳的棱角，且硬度遠高于硅棒或硅錠，硅棒或硅錠與鋼絲的接觸面積逐漸被刃口材料顆粒磨掉。

09-14 

適合加工QFN器件切割的機器

隨著半導體封裝元件小型化/多樣化進程的加快，QFN器件切割方式也發(fā)生了變化，從使用剪切機和銑床到切割機。有效控制銅材特殊毛刺的產(chǎn)生，提高生產(chǎn)率，已成為加工QFN的關(guān)鍵因素。在這里，我們將介紹一種能夠高質(zhì)量加工QFN(減少毛刺，提高生產(chǎn)率)的新型樹脂結(jié)合劑砂輪刀片和一種適合加工QFN的切割機。

08-30 

硅片切割切削液的問題主要表現(xiàn)在哪些方面？

硅片切割目前基本都是采用線切割的方法，加入SiC切割液，Si和SiC都是無毒的，但是一般硅錠會摻雜P、B、As等元素得到需要的硅片，所以切割廢液和廢芯片都有一定的毒性，但是毒性很低，因為雜質(zhì)含量是切割iC硅片(晶圓)所用的非常非常低的工藝制成的。或者太陽能晶片切割，因為有一些圖形是由銅、鈦、鎳、鈷等制成的。在硅片切割通道中，而硅片本身也摻雜有P、B、As等。所以晶圓切割時，有可能會加入切削液。

08-13 

硅片切割時難點有哪些？

現(xiàn)在光伏行業(yè)興興向榮，發(fā)展迅速。硅片產(chǎn)能迅速增長勢必帶來硅片切割液的需求量增加。但現(xiàn)在硅片切割液呈現(xiàn)的問題依舊比較突出，主要表現(xiàn)在以下幾個個方面1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。

07-29 

硅片切割：金剛石線切割與傳統(tǒng)工藝相比具有哪些優(yōu)點？

與傳統(tǒng)砂漿切割工藝相比，金剛石線硅片切割技術(shù)具有以下優(yōu)點：1、切割效率高，速度提高五倍。單片切割時間傳統(tǒng)砂漿切割約10小時，金剛石線切割僅需2小時。硅片切割效率高主要得益于其技術(shù)特點：一是金剛石線采用固定方式將金剛石顆粒結(jié)合在一起。與砂漿絲的游離磨料相比，它不僅參與了更多的金剛石的磨削和切割（泄漏更少），而且減少了磨料之間的相互磨損。其次，金剛石硬度高，耐磨性強，切割時間長，使用壽命長。三，金剛石

07-22 

硅片切割的難點有哪些？

地殼中25.8%的硅含量為生產(chǎn)單晶硅提供了取之不盡的資源。由于硅是地殼中含量豐富的元素之一，對于太陽能電池等注定要進入大眾市場的產(chǎn)品來說，儲量優(yōu)勢也是硅成為光伏主要材料的原因之一，所以要進行硅片切割。

07-14 

DFN器件切割多重要？

隨著科技水平的發(fā)展和工藝的進歩，電子產(chǎn)品越來越微型化、復雜化和系統(tǒng)化，而其功能卻越來越強大，集成度越來越高，體積越來越小，所以DFN器件切割就越來越受關(guān)注。DFN器件切割作為貼片電阻生產(chǎn)工藝流程中一個非常重要的環(huán)節(jié)，熟悉地掌握不同的切割方法和切割的注意事項，能夠大大地減少我們在工作過程中的失誤和時間耗費。

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